货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥5.084134 | ¥12710.33 |
5000 | ¥4.621895 | ¥23109.48 |
12500 | ¥4.40863 | ¥55107.87 |
25000 | ¥4.266412 | ¥106660.30 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 37 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 32 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 Dual N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM150NB04LDCR
单位重量 372.608 mg
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0TSM150NB04LDCR RLG
型号:TSM150NB04LDCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥5.084134 |
5000+: | ¥4.621895 |
12500+: | ¥4.40863 |
25000+: | ¥4.266412 |
货期:7-10天
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