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APT80GP60B2G

MICROSEMI(美高森美)
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制造商编号:
APT80GP60B2G
制造商:
MICROSEMI(美高森美)
产品类别:
晶体管-IGBT
商品描述:
IGBT 600V 100A 1041W TMAX
渠道:
digikey

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数量 价格 总计
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规格参数

属性
参数值

制造商型号

APT80GP60B2G

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

IGBT 600V 100A 1041W TMAX

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

零件状态

Active

IGBT 类型

PT

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)

100A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)

-

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

2.7V @ 15V, 80A

功率 - 最大值

1041W

开关能量

-

输入类型

Standard

栅极电荷

-

25°C 时 Td(开/关)值

-

测试条件

-

反向恢复时间(trr)

-

工作温度

-

安装类型

Through Hole

封装/外壳

TO-247-3 Variant

供应商器件封装

T-MAX™ [B2]

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型号:APT80GP60B2G

品牌:MICROSEMI

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