SH8M24GZETB
库存 ：2428
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.442153 | ￥15.44 |
| 10 | ￥13.827102 | ￥138.27 |
| 25 | ￥13.130081 | ￥328.25 |
| 100 | ￥9.84756 | ￥984.76 |
| 250 | ￥9.753773 | ￥2438.44 |
| 500 | ￥8.34698 | ￥4173.49 |
| 1000 | ￥6.799506 | ￥6799.51 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 46 mOhms, 63 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.8 nC, 13 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns, 14 ns
上升时间 18 ns, 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns, 70 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8M24
单位重量 83 mg
SH8M24GZETB 同类别型号
注
SH8M24GZETB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8M24GZETB
数据手册PDF。
SH8M24GZETB
型号：SH8M24GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2428 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.442153 |
| 10+： | ￥13.827102 |
| 25+： | ￥13.130081 |
| 100+： | ￥9.84756 |
| 250+： | ￥9.753773 |
| 500+： | ￥8.34698 |
| 1000+： | ￥6.799506 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.44