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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥4.392261 | ¥13176.78 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 12 mOhms, 6 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
栅极电荷 6.1 nC, 12.6 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.3 ns, 2.9 ns
正向跨导(Min) 27 S, 46 S
上升时间 2.7 ns, 3.5 ns
典型关闭延迟时间 6.4 ns, 12.4 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns, 4.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN3012LDG-13
型号:DMN3012LDG-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.392261 |
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