
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥54.84855 | ¥54.85 |
| 10 | ¥49.544154 | ¥495.44 |
| 100 | ¥41.016107 | ¥4101.61 |
| 500 | ¥35.716304 | ¥17858.15 |
| 1000 | ¥31.107768 | ¥31107.77 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 31.2 A
漏源电阻 99 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 118 nC
耗散功率 277.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R110CFDA SP000895236
单位重量 6 g
购物车
0IPW65R110CFDAFKSA1
型号:IPW65R110CFDAFKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥54.84855 |
| 10+: | ¥49.544154 |
| 100+: | ¥41.016107 |
| 500+: | ¥35.716304 |
| 1000+: | ¥31.107768 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥54.85