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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 46 mOhms, 63 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.8 nC, 13 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns, 14 ns
上升时间 18 ns, 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns, 70 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8M24
单位重量 83 mg
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0SH8M24GZETB
型号:SH8M24GZETB
品牌:ROHM
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