ZXMN3A06DN8TA
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- 制造商编号：
- ZXMN3A06DN8TA
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：100
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.270686 | ￥2.27 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.2 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17.5 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.4 ns
上升时间 6.4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 21.6 ns
典型接通延迟时间 3 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 750 mg
ZXMN3A06DN8TA 同类别型号
注
ZXMN3A06DN8TA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ZXMN3A06DN8TA
数据手册PDF
。
ZXMN3A06DN8TA
型号：ZXMN3A06DN8TA
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：100 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.270686 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.27