IPI120N04S401AKSA1
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- 制造商编号：
- IPI120N04S401AKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
- 渠道：
- digikey
库存 ：435
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥51.942405 | ￥51.94 |
| 10 | ￥43.648605 | ￥436.49 |
| 100 | ￥35.312344 | ￥3531.23 |
| 500 | ￥31.389065 | ￥15694.53 |
| 1000 | ￥26.876869 | ￥26876.87 |
| 2000 | ￥25.307415 | ￥50614.83 |
| 5000 | ￥24.27989 | ￥121399.45 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPI120N04S401AKSA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
包装
Tube
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.9mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 140µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
176nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
14000pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
188W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO262-3
封装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
IPI120N04S401AKSA1 同类别型号
注
IPI120N04S401AKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPI120N04S401AKSA1
数据手册PDF
。
IPI120N04S401AKSA1
型号：IPI120N04S401AKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：435 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥51.942405 |
| 10+： | ￥43.648605 |
| 100+： | ￥35.312344 |
| 500+： | ￥31.389065 |
| 1000+： | ￥26.876869 |
| 2000+： | ￥25.307415 |
| 5000+： | ￥24.27989 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥51.94