STL13DP10F6
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货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥6.405054 | ￥19215.16 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL13DP10F6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Active
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
180mOhm @ 1.7A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
16.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
864pF @ 25V
功率 - 最大值
62.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
STL13DP10F6 同类别型号
注
STL13DP10F6品牌厂家：ST
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
STL13DP10F6
型号：STL13DP10F6
品牌：ST
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥6.405054 |
货期：7-10天
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