SIZ200DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ200DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N-CH DUAL 30V
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.187398 | ￥14.19 |
| 10 | ￥12.672241 | ￥126.72 |
| 100 | ￥9.880215 | ￥988.02 |
| 500 | ￥8.161474 | ￥4080.74 |
| 1000 | ￥6.443283 | ￥6443.28 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 61 A, 60 A
漏源电阻 5.5 mOhms, 5.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 28 nC, 30 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 118 S, 105 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ200DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ200DT-T1-GE3
型号：SIZ200DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.187398 |
| 10+： | ￥12.672241 |
| 100+： | ￥9.880215 |
| 500+： | ￥8.161474 |
| 1000+： | ￥6.443283 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.19