CSD86330Q3D
库存 ：3064
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥32.331401 | ￥32.33 |
| 10 | ￥29.084325 | ￥290.84 |
| 100 | ￥23.378947 | ￥2337.89 |
| 500 | ￥19.207918 | ￥9603.96 |
| 1000 | ￥15.965022 | ￥15965.02 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 2.1 V, 1.6 V
栅极电荷 6.2 nC, 12 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.9 ns, 4.2 ns
正向跨导（Min） 52 S, 82 S
上升时间 7.5 ns, 6.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.5 ns, 15.8 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns, 5.3 ns
规格参数
开发套件 CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679
外形参数
高度 1.5 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 64 mg
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注
CSD86330Q3D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD86330Q3D
数据手册PDF
。
CSD86330Q3D
型号：CSD86330Q3D
品牌：TI
供货：锐单
库存：3064 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥32.331401 |
| 10+： | ￥29.084325 |
| 100+： | ￥23.378947 |
| 500+： | ￥19.207918 |
| 1000+： | ￥15.965022 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥32.33