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UJ3C120150K3S

SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
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制造商编号:
UJ3C120150K3S
制造商:
SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
1200V 150 MOHM SIC CASCODE, G3,
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 75.560683 75.56
10 68.258082 682.58
100 56.512267 5651.23
500 49.210214 24605.11
1000 42.860514 42860.51

规格参数

关键信息

制造商 UnitedSiC

商标名 SiC FET

商标 UnitedSiC

技术类参数

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1.2 kV

漏极电流 18.4 A

漏源电阻 180 mOhms

栅极电压 - 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压 3.5 V

栅极电荷 30 nC

耗散功率 166.7 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 7 ns

上升时间 10 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 36 ns

典型接通延迟时间 21 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

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UJ3C120150K3S

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型号:UJ3C120150K3S

品牌:SiC

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥75.560683
10+: ¥68.258082
100+: ¥56.512267
500+: ¥49.210214
1000+: ¥42.860514

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥75.56