货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥75.560683 | ¥75.56 |
10 | ¥68.258082 | ¥682.58 |
100 | ¥56.512267 | ¥5651.23 |
500 | ¥49.210214 | ¥24605.11 |
1000 | ¥42.860514 | ¥42860.51 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 18.4 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 166.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0UJ3C120150K3S
型号:UJ3C120150K3S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
1+: | ¥75.560683 |
10+: | ¥68.258082 |
100+: | ¥56.512267 |
500+: | ¥49.210214 |
1000+: | ¥42.860514 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥75.56