
货期:国内(1~3工作日)
起订量:20
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ¥20 | ¥400.00 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 18.4 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 166.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0UJ3C120150K3S
型号:UJ3C120150K3S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
| 20+: | ¥20 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00