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HGT1S10N120BNST

ON(安森美)
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制造商编号：
HGT1S10N120BNST
制造商：
ON(安森美)
产品类别：
晶体管-IGBT
商品描述：
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
渠道：
digikey

库存 ：1294

货期：国内（1~3工作日）

起订量：1

整装： ￥10

定价（含税）

数量 价格 总计
1+ ： 需询价

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi / Fairchild

技术类参数

技术 Si

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V

饱和电压 2.7 V

栅极/发射极最大电压 20 V

在25 C的连续集电极电流 35 A

耗散功率 298 W

集电极连续电流 55 A

集电极连续电流（Max） 35 A

栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA

外形参数

高度 4.83 mm

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

物理类型

产品种类 IGBT 晶体管

安装风格 SMD/SMT

产品类型 IGBT Transistors

单位重量 1.312 g

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注

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HGT1S10N120BNST

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型号：HGT1S10N120BNST

品牌：ON

供货：锐单

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