货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥46.574902 | ¥46.57 |
30 | ¥36.890418 | ¥1106.71 |
120 | ¥31.621047 | ¥3794.53 |
510 | ¥28.107701 | ¥14334.93 |
1020 | ¥24.067204 | ¥24548.55 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 38.8 A
漏源电阻 62 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 135 nC
耗散功率 270 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 120 ns
典型关闭延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 180 ns
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK39N60W5,S1VF
型号:TK39N60W5,S1VF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥46.574902 |
30+: | ¥36.890418 |
120+: | ¥31.621047 |
510+: | ¥28.107701 |
1020+: | ¥24.067204 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥46.57