货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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250 | ¥7.247072 | ¥1811.77 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 42 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 5 ns
典型接通延迟时间 6 ns
开发套件 DRV8308EVM, DRV8307EVM, BOOST-DRV8711
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
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0CSD88537NDT
型号:CSD88537NDT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥7.247072 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00