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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 8.6 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.7 ns, 5.7 ns
上升时间 10.5 ns, 10.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.3 ns, 12.3 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns, 4.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMNH4015SSDQ-13
型号:DMNH4015SSDQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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