
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.288549 | ¥17.29 |
| 50 | ¥13.879224 | ¥693.96 |
| 100 | ¥11.419884 | ¥1141.99 |
| 500 | ¥9.66306 | ¥4831.53 |
| 1000 | ¥8.199021 | ¥8199.02 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 6.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 9.15 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP110N055T2
型号:IXTP110N055T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.288549 |
| 50+: | ¥13.879224 |
| 100+: | ¥11.419884 |
| 500+: | ¥9.66306 |
| 1000+: | ¥8.199021 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.29