
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥133.434644 | ¥133.43 |
| 10 | ¥120.554954 | ¥1205.55 |
| 100 | ¥99.805669 | ¥9980.57 |
| 500 | ¥86.909018 | ¥43454.51 |
| 1000 | ¥75.694942 | ¥75694.94 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 18.4 A
漏源电阻 330 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 25.7 nC
耗散功率 166.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0UF3C120150K4S
型号:UF3C120150K4S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥133.434644 |
| 10+: | ¥120.554954 |
| 100+: | ¥99.805669 |
| 500+: | ¥86.909018 |
| 1000+: | ¥75.694942 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥133.43