货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥116.376678 | ¥116.38 |
10 | ¥105.143497 | ¥1051.43 |
100 | ¥87.046751 | ¥8704.68 |
500 | ¥75.798778 | ¥37899.39 |
1000 | ¥66.018282 | ¥66018.28 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 18.4 A
漏源电阻 330 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 25.7 nC
耗散功率 166.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0UF3C120150K4S
型号:UF3C120150K4S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
1+: | ¥116.376678 |
10+: | ¥105.143497 |
100+: | ¥87.046751 |
500+: | ¥75.798778 |
1000+: | ¥66.018282 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥116.38