DMN3012LEG-7
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN3012LEG-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
- 渠道：
- digikey
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥7.896734 | ￥7896.73 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A, 10 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 6.1 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.3 ns
上升时间 2.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.4 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMN3012LEG-7 同类别型号
注
DMN3012LEG-7
型号：DMN3012LEG-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥7.896734 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00