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起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
50 | ¥18.059274 | ¥902.96 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 6.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 58 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 28 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 Power MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP120N04T2
型号:IXTP120N04T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
50+: | ¥18.059274 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00