
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥65.479523 | ¥65.48 |
| 10 | ¥59.166827 | ¥591.67 |
| 100 | ¥48.985853 | ¥4898.59 |
| 500 | ¥42.65624 | ¥21328.12 |
| 1000 | ¥37.152208 | ¥37152.21 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 64 nC
耗散功率 171 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R065C7 SP001080116
单位重量 6 g
购物车
0IPW65R065C7XKSA1
型号:IPW65R065C7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥65.479523 |
| 10+: | ¥59.166827 |
| 100+: | ¥48.985853 |
| 500+: | ¥42.65624 |
| 1000+: | ¥37.152208 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥65.48