
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥70.814941 | ¥70.81 |
| 10 | ¥62.399686 | ¥624.00 |
| 100 | ¥53.965889 | ¥5396.59 |
| 500 | ¥48.906808 | ¥24453.40 |
| 1000 | ¥44.859351 | ¥44859.35 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 97 nC
耗散功率 540 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 44 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH18N90P
型号:IXFH18N90P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥70.814941 |
| 10+: | ¥62.399686 |
| 100+: | ¥53.965889 |
| 500+: | ¥48.906808 |
| 1000+: | ¥44.859351 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥70.81