SQJ990EP-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQJ990EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
- 渠道：
- digikey
库存 ：2788
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.725496 | ￥15.73 |
| 10 | ￥14.039609 | ￥140.40 |
| 25 | ￥13.328421 | ￥333.21 |
| 100 | ￥9.996316 | ￥999.63 |
| 250 | ￥9.901111 | ￥2475.28 |
| 500 | ￥8.473066 | ￥4236.53 |
| 1000 | ￥6.902218 | ￥6902.22 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 17 A, 34 A
漏源电阻 32.5 mOhms, 15.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 15 nC, 30 nC
耗散功率 27 W, 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 21 ns, 22 ns
正向跨导（Min） 17 S, 34 S
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 28 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 12 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ990EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ990EP-T1_GE3
型号：SQJ990EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2788 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.725496 |
| 10+： | ￥14.039609 |
| 25+： | ￥13.328421 |
| 100+： | ￥9.996316 |
| 250+： | ￥9.901111 |
| 500+： | ￥8.473066 |
| 1000+： | ￥6.902218 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.73