SP8M24FRATB
库存 ：765
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 4.5 A, 3.5 A
漏源电阻 33 mOhms, 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.8 nC, 13 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns, 14 ns
上升时间 18 ns, 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns, 70 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP8M24FRA
单位重量 83 mg
SP8M24FRATB 同类别型号
注
SP8M24FRATB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SP8M24FRATB
数据手册PDF。
SP8M24FRATB
型号：SP8M24FRATB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：765 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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