货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥86.110406 | ¥86.11 |
10 | ¥79.16403 | ¥791.64 |
100 | ¥66.860587 | ¥6686.06 |
500 | ¥59.47715 | ¥29738.58 |
1000 | ¥54.554951 | ¥54554.95 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 198 nC
耗散功率 714 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHT HiPerFET Power MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH170N10P
型号:IXFH170N10P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥86.110406 |
10+: | ¥79.16403 |
100+: | ¥66.860587 |
500+: | ¥59.47715 |
1000+: | ¥54.554951 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥86.11