商品描述
MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10.1A (Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
13mOhm @ 6.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
11nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
900pF @ 10V