SI7252DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7252DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
- 渠道：
- digikey
库存 ：11271
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥44.366042 | ￥44.37 |
| 10 | ￥28.746136 | ￥287.46 |
| 100 | ￥19.822442 | ￥1982.24 |
| 500 | ￥16.009717 | ￥8004.86 |
| 1000 | ￥14.784601 | ￥14784.60 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 36.7 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 46 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 40 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SI7252DP-T1-GE3 同类别型号
注
SI7252DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI7252DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SI7252DP-T1-GE3
型号：SI7252DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：11271 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥44.366042 |
| 10+： | ￥28.746136 |
| 100+： | ￥19.822442 |
| 500+： | ￥16.009717 |
| 1000+： | ￥14.784601 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥44.37