SIHG050N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHG050N60E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V
- 渠道：
- digikey
库存 ：11
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥145.779561 | ￥145.78 |
| 10 | ￥131.669121 | ￥1316.69 |
| 100 | ￥109.014494 | ￥10901.45 |
| 500 | ￥94.928704 | ￥47464.35 |
| 1000 | ￥91.866625 | ￥91866.63 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 51 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 278 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
正向跨导（Min） 12 S
上升时间 82 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 67 ns
典型接通延迟时间 35 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
SIHG050N60E-GE3 同类别型号
注
SIHG050N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHG050N60E-GE3
数据手册PDF。
SIHG050N60E-GE3
型号：SIHG050N60E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：11 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥145.779561 |
| 10+： | ￥131.669121 |
| 100+： | ￥109.014494 |
| 500+： | ￥94.928704 |
| 1000+： | ￥91.866625 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥145.78