SI7923DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7923DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：6388
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.387442 | ￥20.39 |
| 10 | ￥18.37341 | ￥183.73 |
| 100 | ￥14.764214 | ￥1476.42 |
| 500 | ￥12.130651 | ￥6065.33 |
| 1000 | ￥10.397596 | ￥10397.60 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.4 A
漏源电阻 47 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 28 ns
正向跨导（Min） 13 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7923DN-GE3
单位重量 1 g
SI7923DN-T1-GE3 同类别型号
注
SI7923DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI7923DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SI7923DN-T1-GE3
型号：SI7923DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：6388 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.387442 |
| 10+： | ￥18.37341 |
| 100+： | ￥14.764214 |
| 500+： | ￥12.130651 |
| 1000+： | ￥10.397596 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.39