IPC60R190E6X1SA1
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- 制造商编号：
- IPC60R190E6X1SA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH BARE DIE
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：7875
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 7875 | ￥23.480858 | ￥184911.76 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPC60R190E6X1SA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH BARE DIE
包装
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系列
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零件状态
Active
FET 类型
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技术
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漏源电压（Vdss）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
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Vgs（最大值）
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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FET 功能
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功率耗散（最大值）
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工作温度
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安装类型
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供应商器件封装
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封装/外壳
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IPC60R190E6X1SA1 同类别型号
注
IPC60R190E6X1SA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPC60R190E6X1SA1
数据手册PDF。
IPC60R190E6X1SA1
型号：IPC60R190E6X1SA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 7875+： | ￥23.480858 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00