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TSM150NB04DCR RLG

Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
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请参阅产品规格
制造商编号:
TSM150NB04DCR RLG
制造商:
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
渠道:
digikey

库存 :5000

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 14.167113 14.17
10 12.722068 127.22
25 12.076047 301.90
100 9.055619 905.56
250 8.968916 2242.23
500 7.675458 3837.73
1000 6.252513 6252.51

规格参数

关键信息

制造商 Taiwan Semiconductor

商标 Taiwan Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 38 A

漏源电阻 15 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 18 nC

耗散功率 40 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 3 ns

正向跨导(Min) 32 S

上升时间 7 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 12 ns

典型接通延迟时间 6 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 TSM150NB04DCR

单位重量 372.608 mg

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TSM150NB04DCR RLG

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型号:TSM150NB04DCR RLG

品牌:Taiwan Semiconductor

供货:锐单

库存:5000 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥14.167113
10+: ¥12.722068
25+: ¥12.076047
100+: ¥9.055619
250+: ¥8.968916
500+: ¥7.675458
1000+: ¥6.252513

货期:7-10天

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