货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥27.407941 | ¥27.41 |
10 | ¥24.617315 | ¥246.17 |
100 | ¥19.782305 | ¥1978.23 |
500 | ¥16.25316 | ¥8126.58 |
1000 | ¥13.467018 | ¥13467.02 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 106 nC
耗散功率 46 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 40 ns, 40 ns
正向跨导(Min) 71 S
上升时间 10 ns, 50 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns, 115 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 60 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7997DP-GE3
单位重量 506.600 mg
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0SI7997DP-T1-GE3
型号:SI7997DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥27.407941 |
10+: | ¥24.617315 |
100+: | ¥19.782305 |
500+: | ¥16.25316 |
1000+: | ¥13.467018 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥27.41