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制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 4 ns
正向跨导(Min) 70 S, 70 S
上升时间 4 ns, 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns, 33 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SQJ912BEP-T1_GE3
型号:SQJ912BEP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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