STS5DP3LLH6
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STS5DP3LLH6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ H6
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5A (Ta)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
56mOhm @ 2.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
639pF @ 25V
功率 - 最大值
2.7W
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
STS5DP3LLH6 同类别型号
注
STS5DP3LLH6
型号：STS5DP3LLH6
品牌：ST
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