货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥92.598825 | ¥92.60 |
10 | ¥85.126565 | ¥851.27 |
100 | ¥71.896732 | ¥7189.67 |
500 | ¥63.957114 | ¥31978.56 |
1000 | ¥60.147764 | ¥60147.76 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 6 A
漏源电阻 2.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH6N120
型号:IXTH6N120
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥92.598825 |
10+: | ¥85.126565 |
100+: | ¥71.896732 |
500+: | ¥63.957114 |
1000+: | ¥60.147764 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥92.60