IRFHM830DTRPBF
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- 制造商编号：
- IRFHM830DTRPBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：66
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 66 | ￥1.187386 | ￥78.37 |
| 100 | ￥1.187386 | ￥118.74 |
| 300 | ￥1.079448 | ￥323.83 |
| 500 | ￥1.079448 | ￥539.72 |
| 1000 | ￥1.079448 | ￥1079.45 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRFHM830DTRPBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.3mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
27nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1797pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 37W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PQFN (3x3)
封装/外壳
8-VQFN Exposed Pad
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注
IRFHM830DTRPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
IRFHM830DTRPBF
型号：IRFHM830DTRPBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 66+： | ￥1.187386 |
| 100+： | ￥1.187386 |
| 300+： | ￥1.079448 |
| 500+： | ￥1.079448 |
| 1000+： | ￥1.079448 |
货期：1-2天
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