FGB20N60SFD-F085
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：800
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ￥16.591682 | ￥13273.35 |
| 1600 | ￥14.206617 | ￥22730.59 |
| 2400 | ￥13.377055 | ￥32104.93 |
| 5600 | ￥12.833917 | ￥71869.94 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.4 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
耗散功率 208 W
集电极连续电流（Max） 20 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGB20N60SFD_F085
单位重量 1.312 g
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注
FGB20N60SFD-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGB20N60SFD-F085
数据手册PDF。
FGB20N60SFD-F085
型号：FGB20N60SFD-F085
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 800+： | ￥16.591682 |
| 1600+： | ￥14.206617 |
| 2400+： | ￥13.377055 |
| 5600+： | ￥12.833917 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00