
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥63.378684 | ¥63.38 |
| 10 | ¥57.265115 | ¥572.65 |
| 100 | ¥47.408636 | ¥4740.86 |
| 500 | ¥41.282644 | ¥20641.32 |
| 1000 | ¥36.319092 | ¥36319.09 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 14 A
漏源电阻 280 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 22 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 108 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
正向跨导(Min) 1.4 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SCT2280KE
单位重量 6 g
购物车
0SCT2280KEC
型号:SCT2280KEC
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥63.378684 |
| 10+: | ¥57.265115 |
| 100+: | ¥47.408636 |
| 500+: | ¥41.282644 |
| 1000+: | ¥36.319092 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥63.38