IRFHM830DTR2PBF
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- 制造商编号：
- IRFHM830DTR2PBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRFHM830DTR2PBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
包装
Cut Tape (CT)
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.3mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
27nC @ 10V
Vgs（最大值）
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1797pF @ 25V
FET 功能
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功率耗散（最大值）
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工作温度
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安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PQFN (3x3)
封装/外壳
8-VQFN Exposed Pad
IRFHM830DTR2PBF 同类别型号
注
IRFHM830DTR2PBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRFHM830DTR2PBF
数据手册PDF。
IRFHM830DTR2PBF
型号：IRFHM830DTR2PBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00