IXXN200N65A4
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IXXN200N65A4
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
IGBT
包装
Tube
系列
XPT™, GenX4™
零件状态
Active
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
440A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
1200A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1.8V @ 15V, 200A
功率 - 最大值
1250W
开关能量
8.8mJ (on), 6.7mJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
736nC
25°C 时 Td（开/关）值
140ns/1.04µs
测试条件
400V, 100A, 1Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
160ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
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注
IXXN200N65A4
型号：IXXN200N65A4
品牌：IXYS
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