货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥91.111249 | ¥91.11 |
10 | ¥83.712742 | ¥837.13 |
100 | ¥70.700275 | ¥7070.03 |
500 | ¥62.892932 | ¥31446.47 |
1000 | ¥57.688013 | ¥57688.01 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 20 A
漏源电阻 570 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 6.5 V
栅极电荷 126 nC
耗散功率 660 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 37 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 56 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar Power MOSFET HiPerFET
单位重量 6 g
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0IXFH20N100P
型号:IXFH20N100P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥91.111249 |
10+: | ¥83.712742 |
100+: | ¥70.700275 |
500+: | ¥62.892932 |
1000+: | ¥57.688013 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥91.11