货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥97.139664 | ¥97.14 |
10 | ¥89.295875 | ¥892.96 |
100 | ¥75.413398 | ¥7541.34 |
500 | ¥67.08583 | ¥33542.92 |
1000 | ¥61.533867 | ¥61533.87 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 137 nC
耗散功率 890 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 36 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH80N65X2
型号:IXTH80N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥97.139664 |
10+: | ¥89.295875 |
100+: | ¥75.413398 |
500+: | ¥67.08583 |
1000+: | ¥61.533867 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥97.14