FDR8702H
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDR8702H
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.6A, 2.6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
38mOhm @ 3.6A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
650pF @ 10V
功率 - 最大值
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
供应商器件封装
SuperSOT™-8
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注
FDR8702H品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
FDR8702H
型号：FDR8702H
品牌：ON
供货：锐单
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