SISF20DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISF20DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
- 渠道：
- digikey
库存 ：35
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 13 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 69.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
SISF20DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISF20DN-T1-GE3
型号：SISF20DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：35 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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