UF3SC065030D8S
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- 制造商编号：
- UF3SC065030D8S
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥138.129357 | ￥345323.39 |
| 5000 | ￥132.604183 | ￥663020.92 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
UF3SC065030D8S
制造商
SiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商)
商品描述
650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
包装
-
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
42mOhm @ 20A, 12V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
6V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
43nC @ 12V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
179W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
4-DFN (8x8)
封装/外壳
4-PowerTSFN
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注
UF3SC065030D8S品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、UF3SC065030D8S
数据手册PDF。
UF3SC065030D8S
型号：UF3SC065030D8S
品牌：SiC
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥138.129357 |
| 5000+： | ￥132.604183 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00