SH8K3TB1
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.071013 | ￥7.07 |
| 10 | ￥5.770452 | ￥57.70 |
| 100 | ￥4.485674 | ￥448.57 |
| 500 | ￥3.802311 | ￥1901.16 |
| 1000 | ￥3.09742 | ￥3097.42 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
正向跨导（Min） 5 S
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8K3TB1 同类别型号
注
SH8K3TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8K3TB1
数据手册PDF。
SH8K3TB1
型号：SH8K3TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.071013 |
| 10+： | ￥5.770452 |
| 100+： | ￥4.485674 |
| 500+： | ￥3.802311 |
| 1000+： | ￥3.09742 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.07