
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥68.816589 | ¥68.82 |
| 25 | ¥54.923762 | ¥1373.09 |
| 100 | ¥49.143522 | ¥4914.35 |
| 500 | ¥43.361633 | ¥21680.82 |
| 1000 | ¥39.025541 | ¥39025.54 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 38.8 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 270 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 80 ns
高度 20 mm
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0TK39J60W5,S1VQ
型号:TK39J60W5,S1VQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥68.816589 |
| 25+: | ¥54.923762 |
| 100+: | ¥49.143522 |
| 500+: | ¥43.361633 |
| 1000+: | ¥39.025541 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥68.82