SH8M5TB1
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥10.309692 | ￥25774.23 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SH8M5TB1
制造商
ROHM(罗姆)
商品描述
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A, 7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
30mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
7.2nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
520pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOP
SH8M5TB1 同类别型号
注
SH8M5TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8M5TB1
数据手册PDF。
SH8M5TB1
型号：SH8M5TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥10.309692 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00