SH8K3TB1
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.133912 | ￥17.13 |
| 10 | ￥13.982497 | ￥139.82 |
| 100 | ￥10.869327 | ￥1086.93 |
| 500 | ￥9.213455 | ￥4606.73 |
| 1000 | ￥7.50542 | ￥7505.42 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
正向跨导（Min） 5 S
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8K3TB1 同类别型号
注
SH8K3TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8K3TB1
数据手册PDF。
SH8K3TB1
型号：SH8K3TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.133912 |
| 10+： | ￥13.982497 |
| 100+： | ￥10.869327 |
| 500+： | ￥9.213455 |
| 1000+： | ￥7.50542 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.13