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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
正向跨导(Min) 5 S
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
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0SH8K3TB1
型号:SH8K3TB1
品牌:ROHM
供货:锐单
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