UF3SC065030D8S
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- UF3SC065030D8S
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥232.057321 | ￥232.06 |
| 10 | ￥213.271728 | ￥2132.72 |
| 25 | ￥204.431449 | ￥5110.79 |
| 100 | ￥176.805577 | ￥17680.56 |
| 250 | ￥171.280404 | ￥42820.10 |
| 500 | ￥160.230055 | ￥80115.03 |
| 1000 | ￥146.969637 | ￥146969.64 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
UF3SC065030D8S
制造商
SiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商)
商品描述
650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
包装
-
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
42mOhm @ 20A, 12V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
6V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
43nC @ 12V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
179W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
4-DFN (8x8)
封装/外壳
4-PowerTSFN
UF3SC065030D8S 相关产品
-
价格：￥57.37681
-
价格：￥40.341827
-
价格：￥107.953405
-
价格：￥311.843742
UF3SC065030D8S 同类别型号
注
UF3SC065030D8S品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购UF3SC065030D8S、查询UF3SC065030D8S代理商；
UF3SC065030D8S价格批发咨询客服；这里拥有
UF3SC065030D8S中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到UF3SC065030D8S
替代型号
、UF3SC065030D8S
数据手册PDF。
UF3SC065030D8S
型号：UF3SC065030D8S
品牌：SiC
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥232.057321 |
| 10+： | ￥213.271728 |
| 25+： | ￥204.431449 |
| 100+： | ￥176.805577 |
| 250+： | ￥171.280404 |
| 500+： | ￥160.230055 |
| 1000+： | ￥146.969637 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥232.06